RTP半自動快速退火爐：進一步優(yōu)化碳化硅(SiC)表面的氧化層結(jié)構(gòu)

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碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高硬度、高耐磨性和良好的化學穩(wěn)定性而備受關注，特別是在高溫、高壓和強腐蝕環(huán)境下，碳化硅（SiC）展現(xiàn)出卓越的性能，在半導體、核能、國防及空間技術(shù)等領域具有廣闊的應用前景。

碳化硅氧化工藝的應用

在半導體領域，碳化硅（SiC）氧化工藝作為半導體制造中的關鍵步驟之一，對于提升碳化硅器件的性能和可靠性具有重要意義。特別是在MOSFET等功率器件中，碳化硅（SiC）表面氧化層的質(zhì)量直接影響到器件的性能和可靠性，影響著控制器件的閾值電壓和漏電流等關鍵參數(shù)。

為了在碳化硅（SiC）表面形成一層氧化物薄膜，需要通過氧化工藝實現(xiàn)。其中，氧化工藝的方法包括熱氧化、化學氣相沉積氧化和電化學氧化，目前最常用的方法是熱氧化方法，通過熱氧化工藝，在高溫條件下下形成均勻、高質(zhì)量的SiO?柵氧化層，從而提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲。

RTP快速退火爐的技術(shù)特點

RTP快速退火爐采用先進的加熱和冷卻技術(shù)，能夠在極短的時間內(nèi)將材料加熱到預定溫度，并在完成退火后迅速冷卻降溫。在熱氧化工藝中，RTP快速退火爐能夠確保碳化硅（SiC）材料在短時間內(nèi)達到所需的氧化溫度，從而縮短處理周期，提高生產(chǎn)效率。其次，RTP快速退火爐還能提供均勻的溫度分布，確保碳化硅（SiC）材料在退火過程中受熱均勻，從而避免產(chǎn)生局部過熱或溫度梯度導致的質(zhì)量問題。

RTP快速退火爐在碳化硅氧化工藝中的應用優(yōu)勢

RTP快速退火爐為碳化硅（SiC）氧化工藝提供穩(wěn)定的高溫環(huán)境，進一步優(yōu)化碳化硅（SiC）表面的氧化層結(jié)構(gòu)，同時填補晶格缺陷，降低殘余應力，提高氧化物和晶體的結(jié)合質(zhì)量，改善電學性能。

另外，與高溫氧化爐對比，RTP快速退火爐處理時間短，效率高，其形成的氧化膜厚更加均勻，能夠在提高材料性能的同時實現(xiàn)高效處理。

RTP快速退火爐優(yōu)勢

1.高效性：具有極快的升溫速率，高達100℃/s，能夠在短時間內(nèi)完成退火過程，提高生產(chǎn)效率

2.精準控溫性：燈管功率 PID 控溫，可精準控制溫度升溫，保證良好的重現(xiàn)性與溫度均勻性

3.溫度均勻性：采用先進的加熱和冷卻技術(shù)，在≥500℃的條件下，溫度均勻度可實現(xiàn)≤±1%

4.靈活性：可擴展至6組工藝氣體，根據(jù)不同材料的退火工藝需求靈活調(diào)整，滿足各種應用場景需求

5.安全性：采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權(quán)限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，全方位保障儀器使用安全

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